CMP設(shè)備（化學(xué)機械拋光設(shè)備）主要用于半導(dǎo)體制造過程中，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)晶圓表面的全局平坦化，確保后續(xù)工藝的順利進行。
CMP設(shè)備在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的角色。它通過化學(xué)和機械的協(xié)同作用，高效去除晶圓表面的多余材料，達到納米級別的平坦化效果。這種高精度的平坦化是保障后續(xù)光刻工藝套刻精度和多層金屬互聯(lián)高質(zhì)量實現(xiàn)的關(guān)鍵。
CMP設(shè)備的主要組成部分包括晶圓傳輸單元、拋光單元和清洗單元。晶圓傳輸單元負責將晶圓從工廠的搬運系統(tǒng)傳輸?shù)綑C臺內(nèi)進行加工；拋光單元利用研磨液和研磨墊實現(xiàn)晶圓表面的平坦化；清洗單元則在拋光后去除晶圓表面的顆粒污染物并干燥晶圓。
此外，CMP設(shè)備的應(yīng)用不僅限于半導(dǎo)體制造，還廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、硬盤驅(qū)動器以及鈦合金加工等領(lǐng)域。在這些領(lǐng)域中，CMP設(shè)備通過去除表面微小的凹凸不平和雜質(zhì)，提高產(chǎn)品的精度和質(zhì)量。
隨著科技的發(fā)展，CMP設(shè)備正朝著更高精度、更高自動化、更環(huán)保的方向發(fā)展，逐步實現(xiàn)智能化，以提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本。
